
Samsung преодолела барьер в 10 нанометров для оперативной памяти
Менее 10 нанометров — таков размер элементов в новых кристаллах DRAM от Samsung. Южнокорейский гигант первым в индустрии получил рабочие образцы памяти по техпроцессу 10a. Это подтверждает, что архитектура жизнеспособна в кремнии, а не только в чертежах инженеров, открывая путь к производству сверхплотных модулей.





















