После завершения инженерных работ в сентябре корейский гигант приступит к подготовке массового выпуска. Строительство специализированных производственных линий запланировано на первую половину 2027 года, а выход серийных микросхем ожидается к концу того же периода. Такая скорость внедрения критична для конкуренции с SK hynix, чьи аналогичные разработки на данный момент находятся на стадии отладки выхода годных кристаллов с ожидаемым завершением к декабрю 2026 года.
Samsung планирует опередить конкурентов в производстве 1d-нм DRAM
К сентябрю 2026 года Samsung Electronics намерена завершить разработку оперативной памяти по техпроцессу 1d нм. Успешный запуск проекта позволит компании вернуть технологическое лидерство на рынке полупроводников, которое ранее перешло к SK hynix после освоения норм 1c нм, и закрепиться в сегменте высокоскоростных решений для искусственного интеллекта.
Технологический прорыв в 1d-нм DRAM откроет Samsung прямой путь к созданию памяти нового поколения HBM5E. Использование более совершенных норм проектирования станет ключевым фактором в производстве ускорителей для работы с ИИ, где требования к пропускной способности и энергоэффективности памяти постоянно растут. Лидерство в этом цикле позволит компании диктовать условия на рынке высокопроизводительных вычислительных систем.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!