Концепция zHBM переносит высокоскоростную память с привычных боковых площадок на поверхность кристалла ускорителя. По расчетам инженеров Samsung, такая вертикальная компоновка позволит не только увеличить плотность памяти в десять раз, но и втрое повысить энергоэффективность при двукратном снижении теплового сопротивления. Пока это лишь теоретическая модель: результаты реальных тестов компания не публиковала.
Samsung представила архитектуру памяти zHBM для ИИ-ускорителей
На конференции Future of Memory and Storage 2026 компания Samsung анонсировала zHBM — принципиально новую архитектуру памяти, которая размещается непосредственно над ИИ-процессором. Разработка обещает восьмикратный прирост производительности по сравнению с текущим стандартом HBM5, радикально меняя подход к передаче данных внутри вычислительных систем.
Параллельно производитель показал прототип памяти V10 Bonding V-NAND. В этой технологии массив ячеек и управляющие схемы собираются по отдельности, а затем соединяются в единый слой. Такой подход позволяет нарастить плотность хранения данных на 58% по сравнению с предыдущим поколением V9. Несмотря на демонстрацию целого ряда решений, включая zNAND-O и обновленные SSD, Samsung не называет сроки появления технологий в серийных устройствах, оставляя их в статусе перспективных прототипов.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!