Разработчикам удалось решить главную проблему индустрии — высокую плотность дефектов в эпитаксиальном слое кремниевой подложки. Прорыв позволил внедрить компоненты в смартфоны и другие умные устройства, закрыв технологический пробел, который долгое время сдерживал использование нитрида галлия в массовом сегменте. Еще в октябре прошлого года объем поставок составлял один миллион единиц, что указывает на стремительное масштабирование производства.
Китайский чип на нитриде галлия преодолел рубеж в 5 млн поставок
Китайский научно-исследовательский институт электроники CETC 55 отгрузил более пяти миллионов радиочастотных микросхем на базе нитрида галлия. Это первый в мире случай массового коммерческого применения технологии Si-GaN в потребительской электронике, которая до недавнего времени считалась слишком сложной для серийного выпуска из-за дефектов кристаллической структуры.
Инновация рассматривается как фундамент для создания интегрированных сетей связи, объединяющих наземную, воздушную и космическую инфраструктуры. Чипы должны обеспечить стабильное высокоскоростное соединение в глобальном масштабе, фактически становясь техническим стандартом для следующего поколения беспроводных устройств.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!