Китайская CXMT запустила массовый выпуск памяти LPDDR5X

Технологический прорыв стал возможен благодаря переходу на нормы 11,95 нм с применением метода самосовмещенного четырехкратного формирования рисунка. Инженеры компании пересмотрели конструкцию конденсаторов, доведя соотношение сторон до 45:1, а использование диэлектриков high-k позволило сократить высоту массива ячеек до 6762 нм. Внедрение цифровых двойников на всех этапах проектирования и контроля позволило сократить цикл разработки новых поколений DRAM.

Экономический эффект от перехода на платформу G5 выражается в росте количества кристаллов с одной кремниевой пластины минимум на 50%. Для потребителей это означает не только снижение себестоимости готовых изделий, но и повышение энергоэффективности памяти. Новые микросхемы LPDDR5X уже доступны в корпусах с 245 и 496 контактами, что дает возможность производителям мобильной техники гибко интегрировать компоненты в актуальные модели устройств.