Технология GAA (Gate-All-Around) обеспечивает более точный контроль над током и снижает утечки по сравнению с традиционными FinFET. Исследователи добились коэффициента включения и выключения свыше 500 000 раз, что открывает путь к созданию высокопроизводительных чипов на старом литографическом оборудовании. Применение многократной экспозиции и оптимизация расстояния между транзисторами позволяют компенсировать физические ограничения DUV-установок.
Китайские инженеры научились обходить ограничения литографии
Специалисты Китайской академии наук представили архитектуру транзисторов с круговым затвором, способную работать на существующем оборудовании DUV. Новая разработка позволяет добиться характеристик, сопоставимых с 3-нм техпроцессом, без необходимости использования дорогостоящих EUV-сканеров, которые сейчас остаются недоступными для многих производителей из-за экспортных ограничений.
Данное достижение затрагивает только этап формирования транзисторов, известный как FEOL. Для полноценного выпуска микросхем инженерам предстоит решить задачи на последующих стадиях, включая создание металлических соединений и сложную разводку слоя M0. Пока речь идет о доказательстве концепции, а не о запуске промышленного производства, однако предложенный метод дает Китаю реальный шанс повысить плотность компоновки процессоров в условиях технологической изоляции.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!