В основе открытия лежит управление сдвигом слоев в двумерных сегнетоэлектриках, где электрический заряд меняется не за счет смещения ионов, а в результате перемещения целых атомных пластов. Ранее ученые сталкивались с проблемой непредсказуемости траекторий: кристаллическая структура материала предлагала слишком много равноправных путей для скольжения, что делало процесс неуправляемым.
Китайские физики научились управлять скольжением атомных слоев
Исследователи из Нинбо предложили способ контроля над движением атомных слоев в двумерных сегнетоэлектриках, используя одноосную деформацию материала. Разработанный механизм позволяет переключать электрическую поляризацию за 1,7 пикосекунды, что открывает путь к созданию сверхбыстрой компьютерной памяти с минимальным энергопотреблением и высокой износостойкостью.
Команда из Нинбоского университета и Китайской академии наук применила квантовые расчеты в сочетании с алгоритмами искусственного интеллекта для моделирования двухслойного нитрида бора. Выяснилось, что достаточно незначительного растяжения материала в одном направлении, чтобы нарушить симметрию и задать слоям конкретный маршрут. При подаче электрического поля система переходит из конфигурации BA в AB, обеспечивая высокую скорость переключения. Полученный результат в 1,7 пикосекунды превышает показатели классических материалов на несколько порядков, что делает новую технологию перспективной базой для электроники будущего.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!