В основе разработки лежит ферромагнетик Fe₃GaTe₂, в котором ученые спровоцировали переход скирмионной решетки в полосовые магнитные домены. Этот процесс происходит детерминированно, что устраняет проблему стохастичности, мешавшую ранее управлять отдельными вихреобразными структурами. Линейное изменение сопротивления материала позволяет задавать веса синапсов и выполнять операции умножения с накоплением, лежащие в фундаменте современных нейросетей.
Скирмионные синапсы открывают путь к энергоэффективному ИИ
Международная команда исследователей представила искусственный синапс, работающий при комнатной температуре благодаря коллективному поведению магнитных скирмионов. Использование целых решеток вместо манипуляций с отдельными частицами позволило добиться предсказуемого электрического отклика, что критически важно для создания нейроморфных чипов следующего поколения, способных радикально снизить энергопотребление вычислительных систем.
Энергоэффективность такого решения составляет около 0,66 пикоджоуля на операцию, что ставит технологию в один ряд с передовыми типами памяти вроде RRAM и PCM. Практическая проверка в квантованной нейросети при распознавании рукописных цифр подтвердила надежность метода: точность классификации достигла 96,1%. Отказ от криогенного охлаждения снимает главный барьер для интеграции подобных магнитных компонентов в коммерческие электронные устройства.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!