Тайваньские ученые создали атомную «грунтовку» для транзисторов

Традиционный кремний постепенно упирается в физические пределы, заставляя инженеров искать альтернативы вроде двумерных материалов. Дисульфид молибдена (MoS₂) выглядит перспективно, но его поверхность лишена активных химических связей, из-за чего обычные диэлектрики ложатся неровно, создавая дефекты и препятствуя нормальному движению электронов.

Решением стала технология «атомарной грунтовки». Ученые нанесли на MoS₂ тончайший слой алюминия толщиной 0,3 нм, который затем окислили. Полученная прослойка в 0,42 нм выполняет роль идеального фундамента: она защищает канал от дефектов и позволяет основному изолятору покрывать поверхность без микроскопических разрывов. В ходе испытаний экспериментальные транзисторы показали эффективность, сопоставимую с диоксидом кремния толщиной 1 нм, сохранив при этом стабильные показатели тока.

Несмотря на успех, путь к конвейеру остается сложным. Технология требует работы в условиях сверхвысокого вакуума и прецизионного окисления, что пока невозможно повторить в масштабах массового производства. Сейчас перед разработчиками стоит задача упростить этот процесс, чтобы сделать контроль границ между материалами на уровне отдельных атомов доступным для индустрии.