Базовый кристалл служит фундаментом для стека памяти HBM, объединяющего слои DRAM. В отличие от самих чипов памяти, создаваемых по специфическим процессам, этот компонент требует тех же мощностей, что и обычные логические процессоры. Samsung решила отдать под эти нужды внушительную часть своего ресурса: 50–60% от всех доступных линий 4 нм.
Samsung перенаправила мощности 4 нм на выпуск кристаллов HBM4
Более половины производственных линий Samsung, работающих по техпроцессу 4 нм, теперь заняты выпуском базовых кристаллов для памяти HBM4. Компания делает ставку на этот сегмент, несмотря на наличие более совершенных 2 нм мощностей, которые пока задействованы лишь для одного типа систем на кристалле.
Общая производительность этих мощностей оценивается в 30 000 кремниевых пластин в месяц. Перераспределение ресурсов подчеркивает стремление компании закрепиться в нише высокопроизводительных решений для работы с данными, где спрос на HBM4 растет на фоне развития технологий искусственного интеллекта.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!