Разработка ориентирована на создание сложной архитектуры из чередующихся слоев кремния и кремний-германия. Основная сложность заключается в селективном удалении SiGe для формирования ячеек памяти без повреждения соседних участков кремния. Метод Naura разделяет процесс на два этапа: сначала фторсодержащие радикалы воздействуют на SiGe, затем плазменная очистка удаляет побочные продукты, мешающие равномерному травлению нижних слоев.
Naura Technology нашла способ обхода ограничений в производстве DRAM
Китайская Naura Technology Group представила двухэтапный метод травления, позволяющий создавать многослойные структуры 3D DRAM без использования передового литографического оборудования. Технология решает проблему вертикального масштабирования памяти, обеспечивая высокую точность обработки структур с 64 парами слоев, что критически важно для местных производителей в условиях санкционного давления на полупроводниковую отрасль.
Заявленная селективность травления превышает 500:1, а равномерность обработки для 64-слойных структур достигает 95%. Этот технологический прорыв дает компаниям вроде CXMT возможность наращивать плотность памяти за счет вертикальной компоновки, снижая критическую зависимость от литографии EUV, доступ к которой для Китая ограничен западными санкциями.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!