Менее 10 нанометров — таков размер элементов в новых кристаллах DRAM от Samsung. Южнокорейский гигант первым в индустрии получил рабочие образцы памяти по техпроцессу 10a. Это подтверждает, что архитектура жизнеспособна в кремнии, а не только в чертежах инженеров, открывая путь к производству сверхплотных модулей.
Samsung преодолела барьер в 10 нанометров для оперативной памяти
Менее 10 нанометров — таков размер элементов в новых кристаллах DRAM от Samsung. Южнокорейский гигант первым в индустрии получил рабочие образцы памяти по техпроцессу 10a. Это подтверждает, что архитектура жизнеспособна в кремнии, а не только в чертежах инженеров, открывая путь к производству сверхплотных модулей.
Инженеры Samsung добились прогресса за счет перехода на структуру ячеек 4F Square. В сравнении с текущим стандартом 6F Square это решение уплотняет размещение компонентов на 30–50% в рамках одного модуля. Чтобы избежать утечек тока при экстремальном сжатии, в архитектуру внедрили вертикальный транзисторный канал и полупроводниковый материал IGZO. Технология также подразумевает разделение логики и ячеек памяти: вспомогательные блоки вынесут на отдельный слой, соединяя пластины методом гибридного сращивания.
График внедрения уже намечен. Samsung планирует финализировать разработку платформы 10a в течение 2026 года. Последующий цикл тестов займет около двенадцати месяцев, что позволит запустить конвейер к 2028 году. Успех этого проекта станет фундаментом для перехода индустрии к полноценной 3D-компоновке оперативной памяти, где слои будут наращиваться вертикально.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!