Intel и SoftBank создают замену HBM-памяти при поддержке Японии

Проект Z-Angle Memory (ZAM) позиционируется как прямой конкурент стандарту HBM, который сегодня доминирует в ускорителях вычислений. Главная проблема текущих решений заключается в сложности производства и перегреве при высокой плотности компоновки. Инженеры SAIMEMORY предлагают радикально изменить геометрию слоев, что должно снизить энергопотребление сразу на 40%. Такая архитектура не только упрощает отвод тепла, но и потенциально удешевляет производство, делая память более доступной для массовых дата-центров.

Инвестиции в независимость поставок

Интерес японского правительства через агентство NEDO объясняется желанием снизить зависимость от ограниченного круга поставщиков HBM. Рынок ИИ-вычислений сейчас ограничен физическими возможностями производства памяти, а не только мощностью графических процессоров. Помимо Intel и SoftBank, в инициативе участвуют Fujitsu и Development Bank of Japan. Общий объем инвестиций в разработку до конца 2027 финансового года составит около 8 миллиардов иен (примерно 55 миллионов долларов).

Переход к коммерческому использованию ZAM — процесс небыстрый. Программа господдержки рассчитана на три с половиной года, а выход на стадию массового производства запланирован только на 2029 год. Успех предприятия позволит Японии вернуть статус значимого игрока на рынке полупроводников, предложив индустрии альтернативу, способную справиться с растущими аппетитами нейросетей без критического роста затрат на электричество.